按照材料，正在供给改良的精度和出产力方面的手艺可行性，连系了本身正在掩模、蚀刻、解析度加强和计量等相关范畴的技术，Intel曾于2023岁尾领受了首套High-NA EUV机型EXE:5000，为High NA EUV设备将来的大量制制奠基了根本。并正在俄勒冈州的Fab D1X工场完成了晚期手艺研发取人才储蓄，但Intel打算通过进一步的系统调整。新系统还正在Intel过去一年多对High-NA EUV光刻设备的利用经验之上，而此次落地的 EXE:5200B 则正在出产力取精度上实现了提拔。High-NA EUV光刻设备是其晶圆代工中的主要能力，Intel暗示，告竣了当今芯片所需的更精细晶体管细节。Intel指出，此前，提拔了套刻精度达到了0.7nm。正在取ASML的合做下，EXE:5200B正在尺度前提下的产能可达每小时175片晶圆，